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AP3P3R0MT

商品型号: AP3P3R0MT

制造厂商: APEC(富鼎)

封装规格: PMPAK-5X6

商品毛重: 0.23g

商品编号: CY783059

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 5W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

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AP3P3R0MT由APEC(富鼎)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP3P3R0MT价格参考¥8.552500。APEC(富鼎)AP3P3R0MT封装/规格:PMPAK-5X6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

手机版:AP3P3R0MT