收藏商品技术手册

IPD60R180P7ATMA1

商品型号： IPD60R180P7ATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-3

商品毛重： 0.38g

商品编号： CY131914

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 280uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：72W(Tc) 类型：N沟道

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货7817(2500起订)

数量: X ￥6.1248

总价: ￥6.12

包装:「圆盘 / 2500」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥6.1248
10+

￥6.1047
30+

￥6.0846
100+

￥6.0645
500+

￥6.0444
1000+

￥6.0222

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 280uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：72W(Tc) 类型：N沟道

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供IPD60R180P7ATMA1引脚图查看，IPD60R180P7ATMA1中文资料pdf下载，IPD60R180P7ATMA1使用说明书查看，IPD60R180P7ATMA1参数pdf下载, IPD60R180P7ATMA1工作原理，IPD60R180P7ATMA1驱动电路图，IPD60R180P7ATMA1数据手册，IPD60R180P7ATMA1如何测量, IPD60R180P7ATMA1接线图查看

IPD60R180P7ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD60R180P7ATMA1价格参考￥6.124800。Infineon(英飞凌)IPD60R180P7ATMA1封装/规格：TO-252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 280uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：72W(Tc) 类型：N沟道

手机版：IPD60R180P7ATMA1