商品型号： FIR12N65FG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.76g
商品编号： CY843947
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道 12N65，12A，650V高性价比MOS
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价格
1+
￥1.208
10+
￥1.1752
30+
￥1.1424
100+
￥1.1068
500+
￥1.0712
1000+
￥1.0356
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | N沟道 |
FIR12N65FG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR12N65FG价格参考￥1.208000。3PEAKFIR12N65FG封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道 12N65，12A，650V高性价比MOS
手机版：FIR12N65FG
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