商品型号： CS5N60A4H
制造厂商： 华润华晶
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY563418
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：85W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 5A
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货3832(2500起订)
数 量: X ￥6.3076
总 价: ￥6.31
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥6.3076
10+
￥6.2569
30+
￥6.2062
100+
￥6.1555
500+
￥6.1048
1000+
￥6.0541
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
CS5N60A4H由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS5N60A4H价格参考￥6.307600。华润华晶CS5N60A4H封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：85W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 5A
手机版：CS5N60A4H
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监