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LBSS84WT1G

商品型号: LBSS84WT1G

制造厂商: LRC(乐山无线电)

封装规格: SC-70

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY863338

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:P沟道 P沟道 -50V -130mA

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总   价: ¥182.00

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 130mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 225mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:P沟道 P沟道 -50V -130mA

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LBSS84WT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LBSS84WT1G价格参考¥9.099900。LRC(乐山无线电)LBSS84WT1G封装/规格:SC-70,连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:P沟道 P沟道 -50V -130mA

手机版:LBSS84WT1G