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AP3P050M

商品型号: AP3P050M

制造厂商: APEC(富鼎)

封装规格: SO-8

商品毛重: 0.21g

商品编号: CY924847

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道

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AP3P050M由APEC(富鼎)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP3P050M价格参考¥1.050200。APEC(富鼎)AP3P050M封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道

手机版:AP3P050M