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BM3407A

商品型号: BM3407A

制造厂商: BORN伯恩半导体

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY302356

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥81.24

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

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BM3407A由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,BM3407A价格参考¥8.123700。BORN伯恩半导体BM3407A封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

手机版:BM3407A