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CEU75A3

商品型号: CEU75A3

制造厂商: CET(华瑞)

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.46g

商品编号: CY416817

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,25V,60A,9mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 25V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,25V,60A,9mΩ@10V

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CEU75A3由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEU75A3价格参考¥9.429500。CET(华瑞)CEU75A3封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,25V,60A,9mΩ@10V

手机版:CEU75A3