商品型号： CEU12N10
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY902631
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W 类型：N沟道 N沟道,100V,11A,180mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A | |
| 类型 | N沟道 |
CEU12N10由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEU12N10价格参考￥6.582900。CET(华瑞)CEU12N10封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W 类型：N沟道 N沟道,100V,11A,180mΩ@10V
手机版：CEU12N10
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