商品型号： CEU6186
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY506824
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,28A,25mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
CEU6186由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEU6186价格参考￥4.111800。CET(华瑞)CEU6186封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,28A,25mΩ@10V
手机版：CEU6186
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