商品型号： FQU5N60CTU
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： I-PAK
商品毛重： 0.61g
商品编号： CY947393
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：49W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.3847
10+
￥9.3225
30+
￥9.258
100+
￥9.1935
500+
￥9.129
1000+
￥9.0645
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
FQU5N60CTU由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQU5N60CTU价格参考￥9.384700。ON(安森美)FQU5N60CTU封装/规格：I-PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：49W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FQU5N60CTU
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