商品型号: MEM2310XG
制造厂商: 3PEAK
封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重: 0.04g
商品编号: CY068638
数据手册:
在线预览
商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟道,30V,5.8A,25mΩ@10V
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货4620(3000起订)
数 量: X ¥8.2544
总 价: ¥41.27
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
5+
¥8.2544
50+
¥8.2142
150+
¥8.174
500+
¥8.1305
2500+
¥8.087
5000+
¥8.0435
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 |
MEM2310XG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MEM2310XG价格参考¥8.254400。3PEAKMEM2310XG封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟道,30V,5.8A,25mΩ@10V
手机版:MEM2310XG
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件