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P-MOS

商品型号: GP2301

制造厂商: GP(格瑞宝)

封装规格: SOT23

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY262798

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥93.93

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 350mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

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GP2301由GP(格瑞宝)设计生产,在芯云购商城现货销售,GP2301价格参考¥9.392900。GP(格瑞宝)GP2301封装/规格:SOT23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

手机版:GP2301