商品型号： UMW5N65F
制造厂商： UMW(友台半导体)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.37g
商品编号： CY751879
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.54
10+
￥3.4513
30+
￥3.3626
100+
￥3.2739
500+
￥3.1826
1000+
￥3.0913
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
UMW5N65F由UMW(友台半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,UMW5N65F价格参考￥3.540000。UMW(友台半导体)UMW5N65F封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
手机版：UMW5N65F
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