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MOS场效应管
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MOS场效应管

商品型号: 2N7002KG

制造厂商: 银河微电子

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY739314

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):63V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥5.1224

总   价: ¥102.45

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 63V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 300mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 350mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):63V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

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2N7002KG由银河微电子设计生产,在芯云购商城现货销售,2N7002KG价格参考¥5.122400。银河微电子2N7002KG封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):63V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

手机版:2N7002KG