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BSH108,215

商品型号: BSH108,215

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY041523

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tsp) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:120mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW(Tsp) 类型:N沟道

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总   价: ¥7.42

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tsp) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:120mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW(Tsp) 类型:N沟道

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BSH108,215由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSH108,215价格参考¥7.421500。Nexperia(安世)BSH108,215封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tsp) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:120mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW(Tsp) 类型:N沟道

手机版:BSH108,215