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CRTD045N03L

商品型号: CRTD045N03L

制造厂商: CRMICRO(华润微)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.45g

商品编号: CY952405

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道

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CRTD045N03L由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRTD045N03L价格参考¥5.536100。CRMICRO(华润微)CRTD045N03L封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道

手机版:CRTD045N03L