商品型号： LSI1012LT1G
制造厂商： LRC(乐山无线电)
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY102730
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 500mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 225mW | |
| 类型 | N沟道 |
LSI1012LT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSI1012LT1G价格参考￥7.575600。LRC(乐山无线电)LSI1012LT1G封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 N沟道
手机版：LSI1012LT1G
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