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FQA9N90C-F109

商品型号： FQA9N90C-F109

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-3P

商品毛重： 6.83g

商品编号： CY096760

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 类型：N沟道 N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	900V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	9A
栅源极阈值电压	5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 类型：N沟道 N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V

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FQA9N90C-F109由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQA9N90C-F109价格参考￥9.123800。ON(安森美)FQA9N90C-F109封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 类型：N沟道 N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V

手机版：FQA9N90C-F109