商品型号： FDC602P
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TSOT-23-6
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY976382
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 类型：P沟道 P沟道
数量
价格
1+
￥6.213
10+
￥6.1795
30+
￥6.1436
100+
￥6.1077
500+
￥6.0718
1000+
￥6.0359
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.5A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.6W | |
| 类型 | P沟道 |
FDC602P由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDC602P价格参考￥6.213000。ON(安森美)FDC602P封装/规格：TSOT-23-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 类型：P沟道 P沟道
手机版：FDC602P
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