商品型号： LNH4N65
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY880738
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.3874
10+
￥5.3245
30+
￥5.2596
100+
￥5.1947
500+
￥5.1298
1000+
￥5.0649
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
LNH4N65由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNH4N65价格参考￥5.387400。LONTEN(龙腾半导体)LNH4N65封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 类型：N沟道
手机版：LNH4N65
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