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CS6N60A3D

商品型号： CS6N60A3D

制造厂商：华润华晶

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 0.63g

商品编号： CY175797

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,6A,1Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,6A,1Ω@10V

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CS6N60A3D由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS6N60A3D价格参考￥4.496200。华润华晶CS6N60A3D封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,6A,1Ω@10V

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