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TSM650P03CX RFG

商品型号： TSM650P03CX RFG

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOT-23

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY287577

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道

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TSM650P03CX RFG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,TSM650P03CX RFG价格参考￥6.032200。3PEAKTSM650P03CX RFG封装/规格：SOT-23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道

手机版：TSM650P03CX RFG