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NTF5P03T3G

商品型号: NTF5P03T3G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: SOT-223

商品毛重: 0.20g

商品编号: CY378634

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道 P 沟道,-30V,-5.2A,100mΩ@-30V

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道 P 沟道,-30V,-5.2A,100mΩ@-30V

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NTF5P03T3G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTF5P03T3G价格参考¥9.570200。ON(安森美)NTF5P03T3G封装/规格:SOT-223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道 P 沟道,-30V,-5.2A,100mΩ@-30V

手机版:NTF5P03T3G