商品型号： HY0910D
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-252-2L
商品毛重： 0.41g
商品编号： CY581505
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：143mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
HY0910D由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY0910D价格参考￥6.038500。HUAYI(华羿微)HY0910D封装/规格：TO-252-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：143mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY0910D
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