商品型号： WST02N10
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY265841
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道.100V.2A.180mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | N沟道 |
WST02N10由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WST02N10价格参考￥9.417400。WINSOK微硕WST02N10封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道.100V.2A.180mΩ
手机版：WST02N10
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