商品型号： CEC2088E
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： DFN-8
商品毛重： 0.07g
商品编号： CY861501
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：17.8W(Tc) 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道 |
CEC2088E由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEC2088E价格参考￥7.503300。CET(华瑞)CEC2088E封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：17.8W(Tc) 类型：双N沟道
手机版：CEC2088E
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