商品型号： WSD20L120DN
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN-8
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY981561
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-20V.-120A.2.1mΩ.功能与脚位等同AO6411
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | P沟道 |
WSD20L120DN由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD20L120DN价格参考￥4.207600。WINSOK微硕WSD20L120DN封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-20V.-120A.2.1mΩ.功能与脚位等同AO6411
手机版：WSD20L120DN
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