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UTT6NP10G-S08-R

商品型号： UTT6NP10G-S08-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOP-8

商品毛重： 0.21g

商品编号： CY098394

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A,3.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道+P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2W
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A,3.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道+P沟道

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UTT6NP10G-S08-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UTT6NP10G-S08-R价格参考￥6.035600。3PEAKUTT6NP10G-S08-R封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A,3.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道+P沟道

手机版：UTT6NP10G-S08-R