商品型号： WSD1216DN22
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN 2x2-6L
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY088413
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道 P沟道.-12V.-9.4A.15mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | P沟道 |
WSD1216DN22由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD1216DN22价格参考￥4.242800。WINSOK微硕WSD1216DN22封装/规格：DFN 2x2-6L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道 P沟道.-12V.-9.4A.15mΩ
手机版：WSD1216DN22
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