商品型号： FQN1N60CTA
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-92_Forming1
商品毛重： 0.43g
商品编号： CY599305
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 150mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W,3W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V,0.3A
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货6752(2000起订)
数 量: X ￥7.3068
总 价: ￥7.31
包 装:「盒 / 2000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥7.3068
10+
￥7.258
30+
￥7.2064
100+
￥7.1548
500+
￥7.1032
1000+
￥7.0516
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
FQN1N60CTA由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQN1N60CTA价格参考￥7.306800。ON(安森美)FQN1N60CTA封装/规格：TO-92_Forming1,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 150mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W,3W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V,0.3A
手机版：FQN1N60CTA
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监