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Dual N-MOS 20V 6A 28mΩ@4.5V
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Dual N-MOS 20V 6A 28mΩ@4.5V

商品型号: SM9926PRL

制造厂商: SPS(美国源芯)

封装规格: SOP-8_150mil

商品毛重: 0.19g

商品编号: CY426133

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 -

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥7.1622

总   价: ¥35.81

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6A
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 -

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SM9926PRL由SPS(美国源芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,SM9926PRL价格参考¥7.162200。SPS(美国源芯)SM9926PRL封装/规格:SOP-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 -

手机版:SM9926PRL