商品型号： CRSS063N08N
制造厂商： CRMICRO(华润微)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.90g
商品编号： CY709108
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：164W(Tc) 类型：N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货4870(1000起订)
数 量: X ￥8.3078
总 价: ￥8.31
包 装:「圆盘 / 1000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥8.3078
10+
￥8.2579
30+
￥8.208
100+
￥8.1581
500+
￥8.1054
1000+
￥8.0527
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 85V | |
| 类型 | N沟道 |
CRSS063N08N由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRSS063N08N价格参考￥8.307800。CRMICRO(华润微)CRSS063N08N封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：164W(Tc) 类型：N沟道
手机版：CRSS063N08N
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监