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DMN30H4D0LFDE-7

商品型号： DMN30H4D0LFDE-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： U-DFN2020-6

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY393566

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：550mA 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：2.8V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：630mW 类型：N沟道 N沟道,300V,550mA,4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	300V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：550mA 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：2.8V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：630mW 类型：N沟道 N沟道,300V,550mA,4Ω@10V

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DMN30H4D0LFDE-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN30H4D0LFDE-7价格参考￥8.115200。DIODES(美台)DMN30H4D0LFDE-7封装/规格：U-DFN2020-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：550mA 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：2.8V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：630mW 类型：N沟道 N沟道,300V,550mA,4Ω@10V

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