IPD50P04P4L11ATMA1

商品型号： IPD50P04P4L11ATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY469367

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 85uA 漏源导通电阻：10.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-40V,-50A,10.6mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 85uA 漏源导通电阻：10.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-40V,-50A,10.6mΩ@10V

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IPD50P04P4L11ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD50P04P4L11ATMA1价格参考￥5.399600。Infineon(英飞凌)IPD50P04P4L11ATMA1封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 85uA 漏源导通电阻：10.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-40V,-50A,10.6mΩ@10V

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