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LBSS8402DW1T1G

商品型号： LBSS8402DW1T1G

制造厂商： LRC(乐山无线电)

封装规格： SC-88

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY931613

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA,2V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 200mA,5V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：N沟道和P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	130mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	380mW
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA,2V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 200mA,5V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：N沟道和P沟道

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LBSS8402DW1T1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LBSS8402DW1T1G价格参考￥5.020000。LRC(乐山无线电)LBSS8402DW1T1G封装/规格：SC-88,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA,2V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 200mA,5V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：N沟道和P沟道

手机版：LBSS8402DW1T1G