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IPG20N06S4L-26

商品型号: IPG20N06S4L-26

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TDSON-8-4

商品毛重: 0.47g

商品编号: CY666723

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 10uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:双N沟道 双N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 10uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:双N沟道 双N沟道

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IPG20N06S4L-26由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPG20N06S4L-26价格参考¥5.111000。Infineon(英飞凌)IPG20N06S4L-26封装/规格:PG-TDSON-8-4,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 10uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:双N沟道 双N沟道

手机版:IPG20N06S4L-26