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NTD3055-150T4G

商品型号： NTD3055-150T4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.44g

商品编号： CY934005

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	9A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道

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NTD3055-150T4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD3055-150T4G价格参考￥9.049800。ON(安森美)NTD3055-150T4G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道

手机版：NTD3055-150T4G