MOS(场效应管)/SVD501DEAGTR 编带

商品型号： SVD501DEAGTR

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOT23

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY345511

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 8uA 漏源导通电阻：700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V 30mA

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	30mA(Tc)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 8uA 漏源导通电阻：700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V 30mA

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SVD501DEAGTR由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,SVD501DEAGTR价格参考￥8.148400。3PEAKSVD501DEAGTR封装/规格：SOT23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 8uA 漏源导通电阻：700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V 30mA

手机版：SVD501DEAGTR