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HSST3139

商品型号: HSST3139

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOT-523

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY901640

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥84.14

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1A
最大功率耗散(Ta=25°C) 750mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道

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HSST3139由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSST3139价格参考¥4.207000。HUASHUO(华朔)HSST3139封装/规格:SOT-523,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道

手机版:HSST3139