商品型号： IXTQ200N10T
制造厂商： IXYS
封装规格： TO-3P
商品毛重： 7.08g
商品编号： CY169335
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：550W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.2936
10+
￥8.245
30+
￥8.1964
100+
￥8.1478
500+
￥8.0992
1000+
￥8.0496
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
IXTQ200N10T由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTQ200N10T价格参考￥8.293600。IXYSIXTQ200N10T封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：550W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXTQ200N10T
20万现货SKU
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