商品型号： 2N60L-TM3-T
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.60g
商品编号： CY973078
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道 N沟道,600V,2A,5Ω@10V
数量
价格
1+
￥8.206
10+
￥8.1545
30+
￥8.103
100+
￥8.0515
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A | |
| 类型 | N沟道 |
2N60L-TM3-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,2N60L-TM3-T价格参考￥8.206000。3PEAK2N60L-TM3-T封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道 N沟道,600V,2A,5Ω@10V
手机版：2N60L-TM3-T
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监