商品型号： BM3415E
制造厂商： BORN伯恩半导体
封装规格： SOT-23
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY439435
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
BM3415E由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,BM3415E价格参考￥1.430000。BORN伯恩半导体BM3415E封装/规格：SOT-23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道
手机版：BM3415E
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