商品型号： IPD068N10N3G
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.48g
商品编号： CY950330
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 90uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W 类型：N沟道 N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150W | |
| 类型 | N沟道 |
IPD068N10N3G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD068N10N3G价格参考￥2.468200。Infineon(英飞凌)IPD068N10N3G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 90uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W 类型：N沟道 N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
手机版：IPD068N10N3G
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