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MEM2307M3G

商品型号: MEM2307M3G

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT23-3

商品毛重: 0.05g

商品编号: CY109422

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

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总   价: ¥62.13

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

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MEM2307M3G由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MEM2307M3G价格参考¥6.213000。3PEAKMEM2307M3G封装/规格:SOT23-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

手机版:MEM2307M3G