商品型号： CRSS042N10N
制造厂商： CRMICRO(华润微)
封装规格： T0-263
商品毛重： 1.94g
商品编号： CY017608
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
CRSS042N10N由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRSS042N10N价格参考￥4.287700。CRMICRO(华润微)CRSS042N10N封装/规格：T0-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v
手机版：CRSS042N10N
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