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KIA4750SD

商品型号: KIA4750SD

制造厂商: KIA 半导体

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.45g

商品编号: CY009204

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道 环保

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥5.1086

总   价: ¥5.11

包   装:「圆盘 / 2500」

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 9A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道 环保

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KIA4750SD由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA4750SD价格参考¥5.108600。KIA 半导体KIA4750SD封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道 环保

手机版:KIA4750SD