商品型号: KIA4750SD
制造厂商: KIA 半导体
封装规格: TO-252-2(DPAK)
商品毛重: 0.45g
商品编号: CY009204
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道 环保
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 9A | |
类型 | N沟道 |
KIA4750SD由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA4750SD价格参考¥5.108600。KIA 半导体KIA4750SD封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道 环保
手机版:KIA4750SD
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