商品型号： BS107P
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.22g
商品编号： CY129252
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120mA 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：30Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道，200V，120mA
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 120mA | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | |
| 类型 | N沟道 |
BS107P由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,BS107P价格参考￥5.231700。DIODES(美台)BS107P封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120mA 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：30Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道，200V，120mA
手机版：BS107P
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