PSMN1R0-30YLC,115

商品型号： PSMN1R0-30YLC,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT-669

商品毛重： 0.08g

商品编号： CY630268

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.15mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：272W 类型：N沟道

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货5544(1500起订)

数量: X ￥3.5564

总价: ￥3.56

包装:「圆盘 / 1500」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥3.5564
10+

￥3.4648
30+

￥3.3732
100+

￥3.2816
500+

￥3.19
1000+

￥3.095

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.15mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：272W 类型：N沟道

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供PSMN1R0-30YLC,115引脚图查看，PSMN1R0-30YLC,115中文资料pdf下载，PSMN1R0-30YLC,115使用说明书查看，PSMN1R0-30YLC,115参数pdf下载, PSMN1R0-30YLC,115工作原理，PSMN1R0-30YLC,115驱动电路图，PSMN1R0-30YLC,115数据手册，PSMN1R0-30YLC,115如何测量, PSMN1R0-30YLC,115接线图查看

PSMN1R0-30YLC,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN1R0-30YLC,115价格参考￥3.556400。Nexperia(安世)PSMN1R0-30YLC,115封装/规格：SOT-669,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.15mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：272W 类型：N沟道

手机版：PSMN1R0-30YLC,115