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XNF19N60T

商品型号: XNF19N60T

制造厂商: Xiner(芯能半导体)

封装规格: TO-220F

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY141535

数据手册: 在线预览

商品描述: 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,19A 集电极电流(Ic)(最大值):19A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:场截止

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 IGBT管
集射极击穿电压(最大值) 600V
类型 场截止
栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,19A 集电极电流(Ic)(最大值):19A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:场截止

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XNF19N60T由Xiner(芯能半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,XNF19N60T价格参考¥7.181500。Xiner(芯能半导体)XNF19N60T封装/规格:TO-220F,栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,19A 集电极电流(Ic)(最大值):19A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:场截止

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